Les mémoires du futur

Une nouvelle génération de mémoires bientôt dans nos ordinateurs !
Basées sur la magnétorésistance à effet tunnel (TMR), les MRam (Magnetic Random Access Memory) sont centrées sur le spin (l'orientation magnétique) et non la charge des électrons.
Avantages : des dispositifs plus miniaturisés et plus économes.
En savoir +
http://www.futura-sciences.com/fr/news/ ... ues_22353/
Basées sur la magnétorésistance à effet tunnel (TMR), les MRam (Magnetic Random Access Memory) sont centrées sur le spin (l'orientation magnétique) et non la charge des électrons.
Avantages : des dispositifs plus miniaturisés et plus économes.
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